DMN2005UFG-13
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | DMN2005UFG-13 |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.57 |
10+ | $0.504 |
100+ | $0.3864 |
500+ | $0.3054 |
1000+ | $0.2443 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerDI3333-8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.05W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6495 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 164 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18.1A (Tc) |
Grundproduktnummer | DMN2005 |
DMN2005UFG-13 Einzelheiten PDF [English] | DMN2005UFG-13 PDF - EN.pdf |
DIODES DFN
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DIODES POWERDI5060-8
DMN2005K-7-F DIODES
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
DIODES QFN
DMN2009LSS DIODES
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030
MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
DIODES SOT-23
DIODES SOT-23
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DMN2005UFG-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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